SRM 2841 半導(dǎo)體薄膜：AlxGa1-xAs外延層標(biāo)準(zhǔn)品旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標(biāo)準(zhǔn)，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。 SRM 2841 的一個(gè)單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 基板上生長經(jīng)過認(rèn)證的 Al 摩爾分?jǐn)?shù) x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個(gè)單元都密封在含有氮?dú)鈿夥盏木埘ケ∧ば欧庵?。正確使用 SRM 作為比較標(biāo)準(zhǔn)取決于分析方法（參見“測量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

認(rèn)證鋁值：

NIST 認(rèn)證值是 NIST 對其準(zhǔn)確性有最高置信度的值，因?yàn)?NIST [2] 已調(diào)查或解釋了所有已知或可疑的偏差來源。以摩爾分?jǐn)?shù)表示的鋁 (Al) 的認(rèn)證值在表 1 中提供。該認(rèn)證值基于 Al 摩爾分?jǐn)?shù)與薄膜 PL 光譜中峰強(qiáng)度能量之間已確認(rèn)的相關(guān)性[ 3,4]。認(rèn)證值的不確定度是擴(kuò)展不確定度 (k = 2)，旨在接近 95% 的置信水平 [5]。對每個(gè) SRM 單元進(jìn)行了兩次額外的質(zhì)量檢查。一、分子在樣品生長過程中監(jiān)測束外延生長系統(tǒng)。為了作為 SRM 被接受，由每個(gè)單元的反射高能電子衍射的強(qiáng)度振蕩確定的 Al 摩爾分?jǐn)?shù)必須在其擴(kuò)展的不確定性范圍內(nèi)與認(rèn)證值一致。其次，薄膜的自由載流子濃度必須在 1 × 1016 cm-3 和 5 × 1016 cm-3 之間。

儲(chǔ)存和搬運(yùn)：

AlGaAs是一種穩(wěn)定的化合物，但薄膜在儲(chǔ)存和搬運(yùn)過程中會(huì)受到表面污染和氧化。SRM 2841 半導(dǎo)體薄膜：AlxGa1-xAs外延層標(biāo)準(zhǔn)品應(yīng)存放在無塵氮?dú)猸h(huán)境中或溫度低于50°C的真空下。在運(yùn)輸?shù)椒治鱿到y(tǒng)或在分析系統(tǒng)中使用時(shí)偶然接觸空氣，直到接觸時(shí)間超過數(shù)千小時(shí)，才發(fā)現(xiàn)會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重污染。SRM應(yīng)由金屬安裝盤用干凈的非金屬鑷子處理，不接觸半導(dǎo)體區(qū)域。半導(dǎo)體表面的顆粒污染物可以用去離子水或干燥的氮?dú)饬魅コ脩舯仨毚_認(rèn)沒有引入額外的污染物。用于將半導(dǎo)體安裝到不銹鋼盤上的膠帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機(jī)溶劑，使用這些溶劑可能會(huì)導(dǎo)致粘合劑或膠帶顆粒遷移到試樣表面。試樣表面的極端邊緣應(yīng)排除在分析之外。

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